第一章　第三代半導(dǎo)體相關(guān)概述
1.1　第三代半導(dǎo)體基本介紹
1.1.1　基礎(chǔ)概念界定
1.1.2　主要材料簡介
1.1.3　歷代材料性能
1.1.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
1.2　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.2.1　材料發(fā)展歷程
1.2.2　產(chǎn)業(yè)演進全景
1.2.3　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移路徑
1.3　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點
1.3.1　產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)簡介
1.3.2　產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析
1.3.3　產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系
1.3.4　產(chǎn)業(yè)鏈體系分工
第二章　2022-2024年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
2.1　2022-2024年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)運行狀況
2.1.1　政府部署情況
2.1.2　市場發(fā)展規(guī)模
2.1.3　行業(yè)技術(shù)進展
2.1.4　企業(yè)競爭格局
2.1.5　區(qū)域競爭格局
2.1.6　行業(yè)競爭趨勢
2.1.7　行業(yè)前景展望
2.2　美國
2.2.1　經(jīng)費投入規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢
2.2.3　技術(shù)研究中心
2.2.4　國家支持基金
2.2.5　產(chǎn)線建設(shè)動態(tài)
2.2.6　戰(zhàn)略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃
2.3.2　封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.3　產(chǎn)業(yè)重視原因
2.3.4　技術(shù)領(lǐng)先狀況
2.3.5　企業(yè)發(fā)展布局
2.3.6　國際合作動態(tài)
2.4　歐盟
2.4.1　企業(yè)布局情況
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)
2.4.3　前沿企業(yè)格局
2.4.4　未來發(fā)展熱點
第三章　2022-2024年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析
3.1　政策環(huán)境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　國家標準現(xiàn)行情況
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2　經(jīng)濟環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟概況
3.2.2　工業(yè)運行情況
3.2.3　社會融資規(guī)模
3.2.4　宏觀經(jīng)濟展望
3.3　社會環(huán)境（Social）
3.3.1　社會教育水平
3.3.2　知識專利水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費投入
3.3.4　技術(shù)人才儲備
3.4　技術(shù)環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利申請狀況
3.4.2　科技計劃專項
3.4.3　制造技術(shù)成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟
第四章　2022-2024年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
4.1　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點
4.1.1　數(shù)字基建打開成長空間
4.1.2　背光市場空間逐步擴大
4.1.3　襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　產(chǎn)業(yè)上升國家戰(zhàn)略層面
4.1.5　產(chǎn)業(yè)鏈向國內(nèi)轉(zhuǎn)移明顯
4.2　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2　產(chǎn)業(yè)標準規(guī)范
4.2.3　國產(chǎn)替代狀況
4.2.4　行業(yè)發(fā)展空間
4.3　2022-2024年中國第三代半導(dǎo)體市場運行狀況分析
4.3.1　市場發(fā)展規(guī)模
4.3.2　產(chǎn)業(yè)企業(yè)布局
4.3.3　產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展
4.3.4　市場供需分析
4.4　2022-2024年中國第三代半導(dǎo)體上游原材料市場發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2　上游氧化鋅市場現(xiàn)狀
4.4.3　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.4　上游材料競爭狀況分析
4.5　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1　技術(shù)缺乏市場競爭力
4.5.2　基礎(chǔ)研究能力欠缺
4.5.3　中試平臺成本高
4.5.4　制造技術(shù)未完全成熟
4.6　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策
4.6.1　加大研發(fā)支持力度
4.6.2　完善產(chǎn)業(yè)體系生態(tài)
4.6.3　加快技術(shù)成果轉(zhuǎn)化
4.6.4　加強國際科技合作
第五章　2022-2024年第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GAN）材料及器件發(fā)展分析
5.1　GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展狀況
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈條
5.1.2　GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術(shù)專利情況
5.1.6　技術(shù)發(fā)展趨勢
5.2　GaN材料市場發(fā)展概況分析
5.2.1　項目建設(shè)動態(tài)
5.2.2　材料價格走勢
5.2.3　材料技術(shù)水平
5.2.4　市場應(yīng)用進展
5.2.5　應(yīng)用市場預(yù)測
5.2.6　市場競爭狀況
5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產(chǎn)品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　光電子器件
5.4　GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應(yīng)用
5.4.2　高頻功率器件應(yīng)用
5.4.3　應(yīng)用實現(xiàn)條件與對策
5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術(shù)難題
5.5.2　電源技術(shù)瓶頸
5.5.3　風險控制建議
第六章　2022-2024年第三代半導(dǎo)體碳化硅（SIC）材料及器件發(fā)展分析
6.1　SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展狀況
6.1.1　SiC性能特點
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產(chǎn)品類型
6.1.4　單晶技術(shù)專利
6.1.5　技術(shù)難點分析
6.2　SiC材料市場發(fā)展概況分析
6.2.1　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
6.2.2　材料市場規(guī)模
6.2.3　市場價格走勢
6.2.4　市場供應(yīng)分析
6.2.5　市場需求方分析
6.2.6　材料技術(shù)水平
6.2.7　市場龍頭企業(yè)
6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1　產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計
6.3.2　電力電子器件
6.3.3　功率模塊產(chǎn)品
6.3.4　器件產(chǎn)品布局
6.4　SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1　SiC下游主要應(yīng)用場景
6.4.2　SiC導(dǎo)電型器件應(yīng)用
6.4.3　SiC半絕緣型器件應(yīng)用
6.4.4　SiC新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用
6.4.5　SiC充電樁領(lǐng)域應(yīng)用
第七章　2022-2024年第三代半導(dǎo)體其他材料發(fā)展狀況分析
7.1�、笞宓�化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎(chǔ)概念介紹
7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　應(yīng)用發(fā)展狀況
7.1.6　發(fā)展建議對策
7.2　寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應(yīng)用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2　材料應(yīng)用優(yōu)勢
7.3.3　材料國外進展
7.3.4　國內(nèi)技術(shù)進展
7.3.5　器件應(yīng)用發(fā)展
7.3.6　未來發(fā)展前景
7.4　金剛石半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2　材料研究背景
7.4.3　材料發(fā)展特點
7.4.4　主要器件產(chǎn)品
7.4.5　應(yīng)用發(fā)展狀況
7.4.6　國產(chǎn)替代機遇
7.4.7　材料發(fā)展難點
第八章　2022-2024年第三代半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展分析
8.1　第三代半導(dǎo)體下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1　下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2　2022-2024年電力電子領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.2.1　全球市場發(fā)展規(guī)模
8.2.2　全球應(yīng)用市場占比
8.2.3　國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模
8.2.4　國內(nèi)器件應(yīng)用分布
8.2.5　器件發(fā)展趨勢分析
8.3　2022-2024年微波射頻領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.3.1　射頻器件市場規(guī)模
8.3.2　射頻市場競爭分析
8.3.3　射頻器件市場需求
8.3.4　國防基站應(yīng)用分析
8.3.5　射頻器件發(fā)展趨勢
8.4　2022-2024年半導(dǎo)體照明領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　產(chǎn)業(yè)鏈分析
8.4.3　LED芯片發(fā)展
8.4.4　項目建設(shè)動態(tài)
8.4.5　企業(yè)競爭格局
8.5　2022-2024年半導(dǎo)體激光器發(fā)展狀況
8.5.1　產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展現(xiàn)狀
8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3　產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析
8.5.4　主要技術(shù)分析
8.5.5　國產(chǎn)化趨勢
8.6　2022-2024年5G新基建領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.6.1　5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程
8.6.2　行業(yè)投融資狀況
8.6.3　5G助推材料發(fā)展
8.6.4　材料應(yīng)用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)投資發(fā)展展望
8.7　2022-2024年新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展狀況
8.7.1　新能源汽車整體產(chǎn)銷規(guī)模
8.7.2　新能源汽車板塊企業(yè)動態(tài)
8.7.3　新能源汽車市場集中度
8.7.4　充電基礎(chǔ)設(shè)施運行情況
8.7.5　設(shè)施與汽車的對比情況
第九章　2022-2024年第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展分析
9.1　2022-2024年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　區(qū)域建設(shè)回顧
9.2　京津翼地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4　應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.3　中西部地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.2　重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.3　西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4　珠三角地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.2　廣州產(chǎn)業(yè)發(fā)展動態(tài)
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展動態(tài)
9.4.4　東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.5　華東地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)展
9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
9.5.4　廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.5.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.6　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3　開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4　鼓勵地方加大投入
第十章　2021-2024年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.1.3　經(jīng)營效益分析
10.1.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.1.5　財務(wù)狀況分析
10.1.6　核心競爭力分析
10.2　聞泰科技股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.2.3　經(jīng)營效益分析
10.2.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.2.5　財務(wù)狀況分析
10.2.6　核心競爭力分析
10.3　北京賽微電子股份有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.3.3　經(jīng)營效益分析
10.3.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.3.5　財務(wù)狀況分析
10.3.6　核心競爭力分析
10.4　廈門乾照光電股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.4.3　經(jīng)營效益分析
10.4.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.4.5　財務(wù)狀況分析
10.4.6　核心競爭力分析
10.5　湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.5.3　經(jīng)營效益分析
10.5.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.5.5　財務(wù)狀況分析
10.5.6　核心競爭力分析
10.6　京東方華燦光電股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.6.3　經(jīng)營效益分析
10.6.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.6.5　財務(wù)狀況分析
10.6.6　核心競爭力分析
10.7　株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　企業(yè)業(yè)務(wù)布局
10.7.3　經(jīng)營效益分析
10.7.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.7.5　財務(wù)狀況分析
10.7.6　核心競爭力分析
第十一章　中投顧問對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資價值綜合評估
11.1　行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資市場周期
11.1.3　行業(yè)投資價值
11.2　行業(yè)投融資情況
11.2.1　國際投資案例
11.2.2　國內(nèi)投資項目
11.2.3　國際企業(yè)并購
11.2.4　國內(nèi)企業(yè)并購
11.2.5　企業(yè)融資動態(tài)
11.3　行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術(shù)壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4　行業(yè)投資風險
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營風險
11.4.2　技術(shù)迭代風險
11.4.3　行業(yè)競爭風險
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風險
11.5　行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2　收購企業(yè)實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3　關(guān)注新能源汽車催生需求
11.5.4　國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5　加強高校與科研院所合作
11.6　投資項目案例
11.6.1　項目基本概述
11.6.2　項目建設(shè)必要性
11.6.3　項目建設(shè)可行性
11.6.4　項目投資概算
11.6.5　項目建設(shè)周期
11.6.6　項目經(jīng)濟效益
第十二章　2025-2029年中投顧問對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景與趨勢預(yù)測
12.1　第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展趨勢
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢
12.1.2　未來發(fā)展趨勢
12.1.3　應(yīng)用領(lǐng)域趨勢
12.2　第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場機遇
12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3　中投顧問對2025-2029年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測分析
12.3.1　中投顧問對中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展驅(qū)動五力模型分析
12.3.2　2025-2029年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測

圖表1　第三代半導(dǎo)體特點
圖表2　第三代半導(dǎo)體主要材料
圖表3　不同半導(dǎo)體材料性能比較（一）
圖表4　不同半導(dǎo)體材料性能比較（二）
圖表5　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢
圖表6　半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表7　半導(dǎo)體材料頻率和功率特性對比
圖表8　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進示意圖
圖表9　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表10　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表11　第三代半導(dǎo)體襯底制備流程
圖表12　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
圖表13　第三代半導(dǎo)體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表14　全球部分國家/地區(qū)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析
圖表15　2018-2023年全球第三代半導(dǎo)體材料（SiC功率器件、GaN射頻器件）市場規(guī)模
圖表16　國際SiC代表企業(yè)技術(shù)進展情況
圖表17　2022年全球碳化硅襯底市占率
圖表18　國外碳化硅外延廠商產(chǎn)品/產(chǎn)能布局
圖表19　全球GaN射頻元器件市場企業(yè)競爭梯隊
圖表20　全球碳化硅（SiC）區(qū)域發(fā)展格局
圖表21　2022年全球氮化鎵（GaN）區(qū)域競爭格局
圖表22　全球第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)競爭趨勢分析
圖表23　2024-2029年全球第三代半導(dǎo)體材料（SiC、GaN）市場規(guī)模預(yù)測
圖表24　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（一）
圖表25　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（二）
圖表26　歐洲LAST POWER產(chǎn)學(xué)研項目成員
圖表27　《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中第三代半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)容
圖表28　2019-2021年國家層面第三代半導(dǎo)體支持政策匯總
圖表29　2022年第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策的分布情況
圖表30　2022年第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域地方政府部分政策法規(guī)列表
圖表31　2021-2024年碳化硅相關(guān)國家標準
圖表32　氮化鎵相關(guān)國家標準
圖表33　2019-2023年國內(nèi)生產(chǎn)總值及其增長速度
圖表34　2019-2023年三次產(chǎn)業(yè)增加值占國內(nèi)生產(chǎn)總值比重
圖表35　2024年GDP初步核算數(shù)據(jù)
圖表36　2019-2024年GDP同比增長速度
圖表37　2019-2024年GDP環(huán)比增長速度
圖表38　2019-2023年全部工業(yè)增加值及其增長速度
圖表39　2023年規(guī)模以上工業(yè)主要產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表40　2023-2024年規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長速度
圖表41　2024年規(guī)模以上工業(yè)生產(chǎn)主要數(shù)據(jù)
圖表42　《世界經(jīng)濟展望》增長率預(yù)測
圖表43　2019-2023年本�？啤⒅械嚷殬I(yè)教育及普通高中招生人數(shù)
圖表44　2023年專利授權(quán)和有效專利情況
圖表45　2019-2023年研究與試驗發(fā)展（R&D）經(jīng)費支出及其增長速度
圖表46　國內(nèi)高校、研究所與企業(yè)的技術(shù)合作與轉(zhuǎn)化
圖表47　2015-2024年中國第三代半導(dǎo)體專利申請狀況
圖表48　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)起單位
圖表49　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
圖表50　2022年國內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料部分技術(shù)進展
圖表51　全球推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和技術(shù)發(fā)展的國家計劃
圖表52　《中國制造2025》第三代半導(dǎo)體相關(guān)發(fā)展目標
圖表53　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準列表
圖表54　2016-2023年中國SiC、GaN電力電子和GaN微波射頻器件市場規(guī)模
圖表55　中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)代表性企業(yè)業(yè)務(wù)布局情況
圖表56　2022年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)企業(yè)分布熱力地圖
圖表57　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈代表性企業(yè)區(qū)域分布圖
圖表58　2018-2022年中國第三代半導(dǎo)體供需情況
圖表59　中國第三代半導(dǎo)體價格情況
圖表60　2023年工業(yè)硅產(chǎn)量分布
圖表61　2023年工業(yè)硅下游需求分布
圖表62　2020-2024年工業(yè)硅產(chǎn)量
圖表63　2022-2024年97#工業(yè)硅產(chǎn)量
圖表64　2023-2024年中國氧化鋅產(chǎn)量
圖表65　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要的國際競爭廠商（一）
圖表66　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要的國際競爭廠商（二）
圖表67　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要的國際競爭廠商（三）
圖表68　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈國內(nèi)主要企業(yè)
圖表69　國內(nèi)碳化硅單晶知名企業(yè)
圖表70　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈
圖表71　氮化鎵行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈全景圖
圖表72　GaN原子結(jié)構(gòu)
圖表73　典型GaN HEMT結(jié)構(gòu)
圖表74　GaN材料與Si材料性能對比分析
圖表75　GaN制備流程
圖表76　HVPE系統(tǒng)示意圖
圖表77　GaN外延生長常用方法示意圖
圖表78　2015-2024年氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠�申請量申�?授權(quán)數(shù)量及占比情況
圖表79　2019-2030年中國第三代半導(dǎo)體GaN材料關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展路線表
圖表80　部分國內(nèi)企業(yè)GaN產(chǎn)品進展
圖表81　2022年GaN消費電源應(yīng)用進展
圖表82　2022、2023年GaN（氮化鎵）半導(dǎo)體主流產(chǎn)品市場份額
圖表83　GaN半導(dǎo)體器件類別及應(yīng)用
圖表84　GaN器件主要產(chǎn)品
圖表85　Cascode GaN晶體管
圖表86　EPC的電氣參數(shù)
圖表87　LGA封裝示意圖
圖表88　境外GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點企業(yè)
圖表89　大陸GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點企業(yè)
圖表90　GaN電力電子器件應(yīng)用市場占示意圖
圖表91　Navitas GaN單管應(yīng)用舉例
圖表92　激光雷達脈沖寬度對距離測量分辨率的影響
圖表93　Si和GaN器件驅(qū)動的激光雷達成像分辨率對比圖
圖表94　恒定電壓供電方式的典型波形
圖表95　包絡(luò)線跟隨供電方式的典型波形
圖表96　ET技術(shù)的原理框圖
圖表97　DBC方式的硅基器件的熱阻發(fā)展趨勢
圖表98　SiC-MOSFET相對硅基器件優(yōu)勢
圖表99　SiC襯底制作工藝流程
圖表100　CVD法制備碳化硅外延工藝流程
圖表101　國內(nèi)SiC襯底技術(shù)指標進展
圖表102　SiC功率器件分類
圖表103　2015-2024年中國碳化硅單晶專利數(shù)量及授權(quán)趨勢
圖表104　碳化硅晶體生長主流工藝比較
圖表105　不同切割工藝的性能對比
圖表106　碳化硅半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工序
圖表107　SiC產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)
圖表108　PVT法生長碳化硅晶體示意圖
圖表109　2019-2024年全球碳化硅襯底市場規(guī)模
圖表110　2023-2024年碳化硅價格
圖表111　2024年碳化硅成本及利潤分析
圖表112　2023-2024年碳化硅開工及產(chǎn)量
圖表113　2023-2024年247家鋼鐵企業(yè)鐵水產(chǎn)量
圖表114　2023-2024年碳化硅出口量
圖表115　8英寸SiC晶體和晶片照片
圖表116　8英寸SiC晶片的Raman散射圖譜
圖表117　8英寸4度偏角（4 off-axis）SiC晶片（0004）面的X射線搖擺曲線
圖表118　國內(nèi)外技術(shù)差距對比
圖表119　中國碳化硅襯底領(lǐng)域主要企業(yè)
圖表120　碳化硅外延片領(lǐng)域重點企業(yè)簡介
圖表121　2022年中國碳化硅行業(yè)上市企業(yè)匯總一覽表
圖表122　中國碳化硅行業(yè)主要企業(yè)熱力分布圖
圖表123　半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底的對比
圖表124　SiC平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的對比
圖表125　市場上溝槽型SiC MOSFET結(jié)構(gòu)
圖表126　碳化硅電力電子器件分類
圖表127　2022年部分國內(nèi)企業(yè)SiC二極管產(chǎn)品進展
圖表128　2022年部分國內(nèi)企業(yè)SiC晶體管產(chǎn)品進展
圖表129　2022年部分國內(nèi)企業(yè)SiC模塊產(chǎn)品進展
圖表130　碳化硅功率器件應(yīng)用領(lǐng)域
圖表131　碳化硅在電動汽車中的應(yīng)用
圖表132　兩種類型的碳化硅器件的終端用途
圖表133　導(dǎo)電型碳化硅功率器件應(yīng)用領(lǐng)域
圖表134　5G基站發(fā)展趨勢
圖表135　不同類型射頻器件在高頻高功率下應(yīng)用對比
圖表136　不同電壓平臺下SiC和Si基逆變器的損耗
圖表137　2022-2026年新能源車領(lǐng)域新增碳化硅襯底（折合到六英寸）需求
圖表138　2022年中國新能源汽車與充電樁數(shù)量比率
圖表139　氮化鋁晶體結(jié)構(gòu)及晶須
圖表140　氮化鋁陶瓷基板的性能優(yōu)勢
圖表141　InGaZnO4晶體結(jié)構(gòu)
圖表142　β-Ga2O3功率器件與其他主要半導(dǎo)體功率器件的理論性能極限
圖表143　在電流和電壓需求方面Si，SiC，GaN和GaO功率電子器件的應(yīng)用
圖表144　金剛石結(jié)構(gòu)
圖表145　金剛石與其他半導(dǎo)體材料特性對比
圖表146　2025第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展目標
圖表147　2017-2023年SiC vs GaN vs Si在電力電子領(lǐng)域滲透率情況
圖表148　全球功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域占比
圖表149　功率半導(dǎo)體市場結(jié)構(gòu)占比情況
圖表150　2021-2022年全球領(lǐng)先前五名射頻廠商
圖表151　2023年部分地方出臺LED相關(guān)政策
圖表152　2023年其他行業(yè)政策推動LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展
圖表153　LED半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)
圖表154　2022年中國LED芯片產(chǎn)業(yè)上市公司業(yè)務(wù)布局情況分析
圖表155　中國LED芯片上市公司LED芯片業(yè)務(wù)規(guī)劃對比
圖表156　2022年中國芯片行業(yè)主要企業(yè)基本信息
圖表157　2022年中國LED芯片行業(yè)企業(yè)競爭梯隊（按業(yè)務(wù)營收）
圖表158　半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)鏈
圖表159　國內(nèi)主要半導(dǎo)體激光器企業(yè)情況
圖表160　2018-2024年中國5G基站行業(yè)融資整體情況
圖表161　5G主要技術(shù)對半導(dǎo)體材料的需求
圖表162　2021-2024年中國新能源汽車產(chǎn)銷量
圖表163　2024年公共充電基礎(chǔ)設(shè)施運行情況
圖表164　2024年各地區(qū)公共充電樁建設(shè)排名表
圖表165　2024年公共充電基礎(chǔ)設(shè)施運營商排名表
圖表166　2024年充電基礎(chǔ)設(shè)施整體運行情況
圖表167　2024年充電基礎(chǔ)設(shè)施與電動汽車對比情況
圖表168　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)分布熱力地圖
圖表169　第三代半導(dǎo)體行業(yè)代表性企業(yè)區(qū)域分布圖
圖表170　國內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)回顧
圖表171　國內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進展（二）
圖表172　國內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進展（三）
圖表173　三安光電股份有限公司主要產(chǎn)品、材料、產(chǎn)品系列及相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域
圖表174　2021-2024年三安光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表175　2021-2024年三安光電股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表176　2021-2024年三安光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表177　2024年三安光電股份有限公司營業(yè)收入和營業(yè)成本情況
圖表178　2024年三安光電股份有限公司營業(yè)收入和營業(yè)成本情況
圖表179　2021-2024年三安光電股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表180　2021-2024年三安光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表181　2021-2024年三安光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表182　2021-2024年三安光電股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表183　2021-2024年三安光電股份有限公司運營能力指標
圖表184　2021-2024年聞泰科技股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表185　2021-2024年聞泰科技股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表186　2021-2024年聞泰科技股份有限公司凈利潤及增速
圖表187　2024年聞泰科技股份有限公司營業(yè)收入和營業(yè)成本情況
圖表188　2024年聞泰科技股份有限公司營業(yè)收入、營業(yè)成本的分解信息
圖表189　2021-2024年聞泰科技股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表190　2021-2024年聞泰科技股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表191　2021-2024年聞泰科技股份有限公司短期償債能力指標
圖表192　2021-2024年聞泰科技股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表193　2021-2024年聞泰科技股份有限公司運營能力指標
圖表194　2021-2024年北京賽微電子股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表195　2021-2024年北京賽微電子股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表196　2021-2024年北京賽微電子股份有限公司凈利潤及增速
圖表197　2024年北京賽微電子股份有限公司營業(yè)收入分行業(yè)、分產(chǎn)品、分地區(qū)情況
圖表198　2021-2024年北京賽微電子股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表199　2021-2024年北京賽微電子股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表200　2021-2024年北京賽微電子股份有限公司短期償債能力指標
圖表201　2021-2024年北京賽微電子股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表202　2021-2024年北京賽微電子股份有限公司運營能力指標
圖表203　2021-2024年廈門乾照光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表204　2021-2024年廈門乾照光電股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表205　2021-2024年廈門乾照光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表206　2024年廈門乾照光電股份有限公司營業(yè)收入和營業(yè)成本
圖表207　2024年廈門乾照光電股份有限公司營業(yè)收入、營業(yè)成本的分解信息
圖表208　2021-2024年廈門乾照光電股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表209　2021-2024年廈門乾照光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表210　2021-2024年廈門乾照光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表211　2021-2024年廈門乾照光電股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表212　2021-2024年廈門乾照光電股份有限公司運營能力指標
圖表213　2021-2024年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表214　2021-2024年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表215　2021-2024年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司凈利潤及增速
圖表216　2024年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司營業(yè)收入分產(chǎn)品、分行業(yè)、分地區(qū)情況
圖表217　2021-2024年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表218　2021-2024年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表219　2021-2024年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司短期償債能力指標
圖表220　2021-2024年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表221　2021-2024年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司運營能力指標
圖表222　2024年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司專利情況
圖表223　2021-2024年京東方華燦光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表224　2021-2024年京東方華燦光電股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表225　2021-2024年京東方華燦光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表226　2024年京東方華燦光電股份有限公司營業(yè)收入分產(chǎn)品情況
圖表227　2021-2024年京東方華燦光電股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表228　2021-2024年京東方華燦光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表229　2021-2024年京東方華燦光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表230　2021-2024年京東方華燦光電股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表231　2021-2024年京東方華燦光電股份有限公司運營能力指標
圖表232　2021-2024年株洲中車時代電氣股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表233　2021-2024年株洲中車時代電氣股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表234　2021-2024年株洲中車時代電氣股份有限公司凈利潤及增速
圖表235　2024年株洲中車時代電氣股份有限公司營業(yè)收入和營業(yè)成本按業(yè)務(wù)類型分類
圖表236　2024年株洲中車時代電氣股份有限公司合同產(chǎn)生的收入的情況
圖表237　2021-2024年株洲中車時代電氣股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表238　2021-2024年株洲中車時代電氣股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表239　2021-2024年株洲中車時代電氣股份有限公司短期償債能力指標
圖表240　2021-2024年株洲中車時代電氣股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表241　2021-2024年株洲中車時代電氣股份有限公司運營能力指標
圖表242　2022-2023年碳化硅產(chǎn)業(yè)公開融資金額
圖表243　2022-2023年中國半導(dǎo)體硅片行業(yè)融資主體分布
圖表244　國內(nèi)部分第三代半導(dǎo)體項目分布
圖表245　國內(nèi)部分第三代半導(dǎo)體項目進展
圖表246　氣派科技股份有限公司募集資金使用情況
圖表247　第三代半導(dǎo)體及硅功率器件先進封測項目概算
圖表248　第三代半導(dǎo)體及硅功率器件先進封測項目建設(shè)周期
圖表249　2016-2030年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測
圖表250　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于最佳窗口期
圖表251　國內(nèi)產(chǎn)業(yè)合作情況
圖表252　中投顧問對中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展驅(qū)動五力模型
圖表253　中投顧問2025-2029年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測

2025-2029年中國未來產(chǎn)業(yè)之第三代半導(dǎo)體行業(yè)趨勢預(yù)測及投資機會研究報告（上下卷）